Como vemos Samsung esta empezando a fabricar sus propias memorias RAM, y como dice el titulo dela nota estas nuevas memorias serían de 4GB dejando atrás las memorias de 3GB de su famoso Galaxy Note III, La firma acaba de dar a conocer su primera memoria RAM construida en 20nm de baja potencia para chips con memoria DDR4 con 8 gigabits, lo que podría llevar hasta los 4GB de memoria en varias capas gracias a una mayor densidad. Con cuatro chips de estos en un único paquete de 4GB de memoria LPDDR4 tendríamos el mayor rendimiento disponible para un celular o tablet.
Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics da su comentario al respecto.
Esta próxima generación de DRAM LPDDR4 contribuirá significativamente al rápido crecimiento del mercado mundial de DRAM móvil, que pronto comprenderá la mayor cuota del mercado de todas las memorias DRAM. Vamos a seguir introduciendo las más avanzadas memorias, un paso por delante del resto de la industria para que los OEMs puedan lanzar sus dispositivos móviles con la innovación y comodidad que supone el uso excepcional de esta tecnología.
Este cambio de estándar DDR provocará un cambio a un mayor ancho de banda (3,1Gbps) y un aumento en la velocidad de hasta un 50% sobre los chips DDR3 existentes, esto va de la mano a un ahorro energético considerable de un 40%.
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